1、鈦擴散進入鈮酸鋰晶片的過程被視為一種電化學反應。擴散過程中包含鈦離子進入鈮酸鋰晶體的離子轉移過程。鈦離子取代鈮在晶體中的位置，而鈮離子則擴散進入基片的表面。這個電化學擴散過程被用于改變鈮酸鋰晶片的表面結構。本論文在國內外率先開展了該方面的研究工作，并取得了一些初步實驗結果，為進一步的研究奠定了基礎。
　　 本論文的主要工作包括以下四個方面：
　　 1.以摻雜氧化鎂的同成份鈮酸鋰晶體為基底，在其表面一半濺射上鈦膜，在其上覆

2、蓋另一片摻雜氧化鎂的同成分鈮酸鋰晶體并緊密接觸。在大約1050℃的高溫下煅燒10個小時，擴散過程中，氧氣通過60℃的水浴，并以1L/min的流速通入擴散爐。
　　 2.進行了三組對比實驗，定性的給出了鈦膜厚度、擴散時間、擴散溫度對摻雜氧化鎂的同成份鈮酸鋰晶體的腐蝕深度的影響。即，增加鈦膜厚度、延長擴散時間、提高擴散溫度可以有效地增加鈮酸鋰晶體的腐蝕深度，并且，當初始鈦膜厚度大于600nm左右的時候，腐蝕深度隨著鈦膜厚度的增加有所

3、下降。
　　 3.表面被腐蝕的情況將通過原子力顯微鏡來進行定性的描述，可以看出，被腐蝕的上片具有明顯的被腐蝕的特征，并且被腐蝕表面幾乎與原始晶片表面一樣平滑；下片隆起部分非常明顯，但是擴散后的表面變得異常粗糙。而且其隆起部分的邊緣處也是非常陡峭，高度提升非常明顯。腐蝕所產生的溝槽深度和粗糙度將使用臺階儀和原子力顯微鏡來進行定量的分析，腐蝕深度達到266.5nm，表面RMS粗糙度為1.3m。
　　 4.采用拉曼散射技術和X