CdS納米晶、TiO-,2--CdS核殼結構納米棒薄膜電極的制備及其光電化學性能研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、進入二十世紀以來,利用無污染的太陽能成為人們解決能源危機和環(huán)境污染問題的一條重要途徑。將太陽能轉化為電能的太陽能電池成為科學家們研究的熱點。硫化鎘是Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體材料,其禁帶寬度約為2.42eV,是一種典型的光電材料。由于其合適的帶隙寬度、較長的壽命、容易合成等優(yōu)點,被廣泛的用于太陽能電池的光陽極來研究。同時,TiO<,2>是一種廉價、安全、應用范圍廣的太陽能電池用材料,但是由于其禁帶寬度較大(3.2eV),使其只能吸收太陽光中的

2、紫外光部分,導致其轉化效率較低,因此要對其進行敏化,提高其轉化效率,更加有效的利用太陽能。CdS的窄帶隙能決定了其可以用來敏化TiO<,2>電極。 本文利用水熱法合成CdS納米顆粒,并通過“刮刀法”制備了CdS納米晶薄膜電極,還研究了不同的煅燒溫度對其光電化學性能的影響。研究結果表明CdS納米晶薄膜電極在380℃煅燒30min的條件下具有較高的光電化學性能。 在利用“刮刀法”制備了TiO<,2>納米棒薄膜電極后,本文進一

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