1、超大規(guī)模集成電路中器件密度的提高、特征線寬的減小導致互連線之間的阻容耦合不斷增大，從而使信號傳輸延時、功耗增大、噪聲增大。為了解決這些問題，用低介電常數(shù)(low-к)和超低介電常數(shù)(ultralow-к，к<2)材料替代傳統(tǒng)的SiO2層間絕緣介質，成為可能的選擇。作為低к和超低к材料中最有前景的候選者，多孔超低к的SiCOH材料受到廣泛關注。 作為應用于超大規(guī)模集成電路中的低k材料，SiCOH薄膜的刻蝕研究極其重要。與傳統(tǒng)SiO

2、2介質的刻蝕相比較，由于SiCOH薄膜中存在孔隙，因此刻蝕率隨著薄膜密度的降低而增加，從而導致薄膜粗糙度增加、側向微枝結構的形成和刻蝕深度發(fā)生改變，結果難以實現(xiàn)SiCOH薄膜刻蝕過程的精確控制。 為實現(xiàn)SiCOH薄膜刻蝕的精確控制，要求刻蝕時的碳氟等離子體是富含F(xiàn)的等離子體，并且離子能量可以獨立控制，因此本文采用CHF3的雙頻電容耦合等離子體(DF-CCP)開展了SiCOH薄膜的刻蝕研究。論文重點研究了13.56MHz/2MHz