微波ECRCVD制備a-C-F-H薄膜的結構與性能研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、超大規(guī)模集成電路特征線寬的下降導致了信號傳輸延遲、功率耗散的增加,解決的辦法是使用低電阻率的金屬線和低介電常數(shù)(低k)層間絕緣材料來代替當前集成電路使用的Al/SiO<,2>結構.a-C:F:H具有低的介電常數(shù),它是層間介電體的侯選材料之一.我們率先在國內使用了微波電子回旋共振等離子體化學氣相沉積(ECRCVD)方法制備了低k氟化非晶碳薄膜,并對其結構和性質進行了系統(tǒng)的研究工作.論文的研究內容主要分兩部分:第一部分主要敘述了在含氟ECR

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